Smazat příspěvek
Chystáte se smazat zprávu (se všemi případnými odpověďmi) z kategorie Hlavní diskuze:15.05.2013 (09:13:06)
Utaes 
:
: Zdravím, měl bych dotaz ohledně spojování 2 MOS-FETů paralelně... Mám na DPS umístěné 2 fety, je potřeba k nim dodávat vyrovnávací odpůrky do sourcu, když si dám pozor na to, aby délka přívodů k nim byla shodná? Jde také o to, že jimi poteče značný proud, tak ten odpůrek bych musel dát tak 0.05R (možná míň) Díky
15.05.2013 (09:22:22)
aybac:
ne, není to potřeba, u mosfetů je to naprosto bez problému
15.05.2013 (09:25:17)
Utaes :
: OK, díky
15.05.2013 (09:49:53)
forbidden :
: To není tak úplně pravda, zrovna nedávno jsem s tím bojoval. Minimálně musí mít každej vlastní odpor do gate, jinak hrozí rozkmitání. Na netu jdou najít studie jevu.
15.05.2013 (10:03:13)
aybac:
O tom jsem nikdy neslyšel, FETy paralelně už jsem několikrát použil, i IGBT. Pokud se to udělá podle zásad návrhu silových měničů (tzn. krátké tlusté spoje mezi tranzistory a ve smyčce tranzistor-dioda-blokovací kondenzátor), tak to musí fungovat.
15.05.2013 (10:04:12)
aybac:
A ty vlastní odpory do G bych stejně dal, ale funguje to i bez nich.
15.05.2013 (10:17:32)
Utaes :
: Když už je o tom řeš, vybíjecí obvody bude mít každý fet samostatný, návrh bude vypadat asi takto http://utaes.wz.cz/!/123.png + silové cesty asi posílím drátem a bude jedno společné GDT pro všechn 4 vinutí (toroid, nebo hníčkové jádro, ještě nevím) Případně přijímám kritiku
15.05.2013 (10:29:01)
forbidden :
: Já jsem o tom taky neslyšel, dokud jsem to nemusel řešit 
Celkem mi trvalo, než jsem přišel na to, proč to ku.. furt kmitá.
Info tady: http://www.microsemi.com/en/sites/default/files/micnote...
tady: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-941.pdf
a tady: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/para.pdf
je to celkem zajímavý
Celkem mi trvalo, než jsem přišel na to, proč to ku.. furt kmitá.
Info tady: http://www.microsemi.com/en/sites/default/files/micnote...
tady: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-941.pdf
a tady: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/para.pdf
je to celkem zajímavý
15.05.2013 (10:34:05)
Choze:
V paralelním zapojení je třeba dát pozor na parazitní oscilace mezi nimi. Řeší se to feritem na gatu a odporem, nebo co nejkratším přívodem gate. Více zde: http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/1...
15.05.2013 (10:35:26)
Choze:
Koukám, že čteme stejnou literaturu
15.05.2013 (11:00:39)
aybac:
No to kmitání jsem řešil u paralelních elektronek, který maj pásmo propustnosti stovky MHz a dráty tam jsou třeba 20cm dlouhý. U těch FETů bych dal do G vlastní odpory, to musí stačit.
15.05.2013 (11:15:42)
forbidden :
: Jj, ale příliš velký, nebo příliš malý a rozkmitá se to někdy taky 
Mě to nakonec chodilo s nějakýma 20-30 Ohm.
Mě to nakonec chodilo s nějakýma 20-30 Ohm.Zde můžete smazat vlastní vlákno nebo kteroukoliv odpověď v něm. Můžete smazat vlastní odpověď v cizím vlákně, pokud na ni ještě nikdo jiný nereagoval. Mazat cizí vlákna a odpovědi v nich mohou pouze admini. Smazání příspěvku je nevratná operace! Smazáním vzkazu se smažou i odpovědi na něj.