Zdravím, měl bych dotaz ohledně spojování 2 MOS-FETů paralelně... Mám na DPS umístěné 2 fety, je potřeba k nim dodávat vyrovnávací odpůrky do sourcu, když si dám pozor na to, aby délka přívodů k nim byla shodná? Jde také o to, že jimi poteče značný proud, tak ten odpůrek bych musel dát tak 0.05R (možná míň) Díky
To není tak úplně pravda, zrovna nedávno jsem s tím bojoval. Minimálně musí mít každej vlastní odpor do gate, jinak hrozí rozkmitání. Na netu jdou najít studie jevu.
O tom jsem nikdy neslyšel, FETy paralelně už jsem několikrát použil, i IGBT. Pokud se to udělá podle zásad návrhu silových měničů (tzn. krátké tlusté spoje mezi tranzistory a ve smyčce tranzistor-dioda-blokovací kondenzátor), tak to musí fungovat.
Když už je o tom řeš, vybíjecí obvody bude mít každý fet samostatný, návrh bude vypadat asi takto http://utaes.wz.cz/!/123.png + silové cesty asi posílím drátem a bude jedno společné GDT pro všechn 4 vinutí (toroid, nebo hníčkové jádro, ještě nevím) Případně přijímám kritiku
No to kmitání jsem řešil u paralelních elektronek, který maj pásmo propustnosti stovky MHz a dráty tam jsou třeba 20cm dlouhý. U těch FETů bych dal do G vlastní odpory, to musí stačit.